天津环欧半导体材料技术有限公司12月中旬开发出最大直径153毫米的区熔硅单晶，使中国硅半导体材料生产技术进入国际先进行列，使中国成为继德国、日本之后，用区熔法生产最大直径硅单晶的第三个国家。
    
    该153毫米区熔硅单晶长度达到770毫米，重量为22.7千克，是目前中国国内直径最大、长度最长的同类产品。据悉，153毫米区熔硅单晶研制成功后，将很快进入产业化实施阶段，及时开发生产硅单晶尖端技术和工艺软件。
    
    天津环欧半导体材料技术有限公司运用高科技手段，先后于2002年5月分别拉制出直径为76毫米(3英寸)、长度为2.2米和直径为102毫米(4英寸)、长度为1.5米的区熔硅单晶。6月又拉制出国内直径最大的130毫米(5英寸)、长度为930毫米的区熔硅单晶后。
    
    同时，该公司曾经在生产中独立开发出的同样可以记入半导体材料制造领域史册的，世界首创、具有独立知识产权的直拉区熔法(CFZ)单晶硅生产技术，也于2002年10月获得国家生产发明专利授权(专利号：001055186)。