华裔科学家卓以和荣登美国发明家名人堂
2009年04月01日 10:36 来源:中国侨网
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2009美国专利商标局国家发明家名人堂名单出炉,华裔科学家卓以和入选。(美国《世界日报》)
中国侨网消息:据美国《世界日报》报道,美国专利商标局国家发明家名人堂 (National Inventors Hall of Fame)日前公布2009年入选名单,Alcatel-Lucent贝尔实验室 (Bell Lab)半导体研究副总裁卓以和(Alfred Y. Cho)为今年入选唯一华裔科学家。英特尔共同创办人葛洛夫 (Andrew S.Grove)则获终身成就奖。
由于2009年恰好的集成电路 (integrated circuit)发明的50周年,今年表扬的15位发明家名人堂人士都在半导体相关领域。主办单位将于5月2日扩大在硅谷“计算机历史博物馆”(Computer History Museum)颁奖。
卓以和被尊称为“束磊晶之父”(the father of molecular beam epitaxy),他的发明是分子束磊晶(简称MBE)技术。MBE技术能够让有序材料以单原子层为单位进行生长。它可用在生产与电子时代紧密相关的高端设备,例如手机射频开关、前端放大器及功率放大器、CD/DVD播放器等。
【编辑:陆春艳】