中国共产党优秀党员、中国科学院著名的女院士林兰英，于2003年3月4日与世长辞，但她赤诚的爱国精神却将永远芳留人间。
    
    林兰英1918年出生于莆田，1948年赴美国留学，她以优异的成绩获奖学金，完成学业。1949年新中国成立的喜讯传到美国，她就想要为祖国做些贡献。为此，她改变了学科，原攻读数学，很快就可得到数学博士学位，但她毅然改为攻读固体物理。这是当时美国刚兴起的学科，它使科学家发现了处于半导电状态的半导体，将给工业界带来广泛的应用前景。她想新中国多么需要它呀！于是她从头学起，并于1955年成为美国宾西法尼亚大学200年来第一位女博士。
    
    当年要在美国进入一家真正能发挥自己专长的公司也是十分不易的，但由于导师罗思先生推荐，她很快便得到索菲尼亚公司的聘书，聘为高级工程师，条件十分优越。她使该公司拉出了第一根硅单晶，因而三次被加薪，另一家公司还开出更高聘价，要把她挖走。
    
    但为了古老而年轻的祖国，她想归去来兮了。她深知回国所面临的科研条件将大大逊于美国，但决心一下，她毫不犹豫。当她正式向索菲尼亚公司递交辞呈时，老板简直惊呆了，他首先想到的是用高薪续聘诱惑她。但林兰英明确表达回国的坚定志向。她的决定一公开，朋友没一个赞成的，有的教授甚至声泪俱下地进行劝说。美国联邦调查局也软硬兼施、千方百计要拴住这位中国才女的心，但最终也只好极不情愿地开具了准予离美的手续。
    
    1957年1月6日，在旧金山的候船室里，这是林兰英离美返国的最后时刻。海关人员和5名联邦调查局特工人员，对她的行李和人身进行一次所谓例行检查。特工人员竟以扣压她的旅行支票，要挟她一定留在美国，但她愤怒抗议、坚辞谢绝。
    
    回国后，她成为我国半导体材料最著名的开拓者，为祖国作出了重大贡献。她带动同事一起创造了多个“新中国的第一”：1957年研制成中国第一根锗单晶，1958年研制成第一根硅单晶，……1987年利用卫星拉制成太空砷化镓单晶，居国际领先地位，受到全世界科学家关注，她赢得了“太空材料之母”的桂冠，为祖国赢得殊荣。中央电视台“东方之子”栏目专题报道了她，报刊、电台等也多次介绍她催人泪下的事迹和光照人寰的贡献。她受到中央三代领导人的关怀和接见，受到海内外华人包括莆田父老乡亲的厚爱和尊崇。
    
    现在林兰英院士走了，但她毕生献身科学、一心为祖国振兴而忘我拼搏的精神，却将永远留在人民心中
    
    编完缅怀林兰英院士的这篇稿件，心里再一次受到了深深的震撼：在新中国建立初期，有一大批“术业有专攻”的科学家纷纷放弃在国外优厚的生活和工作条件，冲破所在国人为设置的重重阻力，义无反顾地回归祖国的怀抱，为建设社会主义祖国挑大梁、出大力、流大汗，在许多领域的“一张白纸”上留下了永不磨灭的浓彩重墨。
    
    林兰英院士是这些科学家的优秀代表，是全市300万人民的骄傲，也是全国人民的骄傲！（原载《湄洲日报》）
    
    
    林兰英院士
    
    林兰英，半导体材料学家。1918年生，福建莆田县人。1940年毕业于协和大学，1955年获美国宾州大学固体物理学博士学位。1957年回国后历任中国科学院半导体研究所研究员，副所长，中国科协副主席，全国人大代表、常委，1980年当选为中国科学院院士。
    
    林兰英从事半导体材料科学40余年，是中国半导体材料科学的奠基人和开拓者。她率先组织和领导了我国生长硅单晶、锑化铟、砷化镓和磷化镓单晶的研究，并首先获得了上述半导体单晶。为在我国率先研究半导体集成电路和光电子器件的单位提供了多种半导体单晶材料，并向全国推广上述单晶生长技术和相应的材料测试技术，为我国微电子学和光电子学的开创奠定了基础。参与组织领导4千位16千位大规模集成电路-MOS随机存储器的研制，1980、1982年两次获得中科院科技进步一等奖。她指导的高纯砷化镓液相外延和气相外延材料研究达到国际先进水平，其中高纯砷化镓气相外延研究至今仍然保持着采用卤化系统的国际最高水平。1981年获中科院科技进步一等奖，1985年获国家科技进步二等奖。1987年首次在世界上在微重力条件下从熔体中生长砷化镓单晶获得成功。以后又相继四次在我国返回式卫星上生长生长砷化镓单晶，在空间晶体生长、材料物理研究及器件应用等方面取得了许多令世界同行瞩目的科研成果。利用空间生长的半绝缘砷化镓制造的微波低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路的特性及优质品率显著提高。
    
    1989年获中科院科技进步一等奖，1990年获国家科技进步三等奖，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。