2月11日，美国专利商标局(USPTO)公布本年度入选全国发明家“名人堂”的名单，现年72岁的华裔电机工程学家卓以和，连同另外14名在世或已故科学家齐齐登上“名人堂”。

　　分子束外延技术之父

　　卓以和1937年生于北京，1949年到香港。1955年赴美留学，1968年获伊利诺伊大学博士学位，现任美国朗讯科技公司贝尔实验室半导体研究室主任。1985年获选为美国科学院院士。

　　卓以和是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者，被称为“分子束外延技术之父”。

　　他用研制的新材料，最先研究成功10多种极为重要的、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。现在又领导朗讯科技公司贝尔实验室半导体研究室，开创性地研制成功量子阱级联式新型激光器，被认为是半导体激光器发展中的又一个“里程碑”。

　　卓以和对中国发展分子束外延技术极为关切，给予了关键性指导，与中国同行建立了深厚友谊，对促进中美两国学术交流，提高中国在国际学术界的地位和影响作出了重要贡献。1996年6月7日，他当选为中国科学院外籍院士。

　　如今人们日常生活中各种大大小小的“享受”和“方便”，都与卓以和的研究成果相连。

　　小如手机里微波电子零件如射频开关、前端放大器、功率放大器、CD音响唱碟、DVD放映机、个人电脑中读二元数据的半导体雷射激光器，大如电子通讯的发电站等微波高速电子器件和光电子器件，都是MBE科技的成果。

　　简单来说，MBE是一种材料生长科技，是在严密控制下，把分子一个个、一层层累积成材料的技术。自1968年进入朗讯科技公司至退休为止，卓以和的心血绝大部分花在了MBE的发明改进上。